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　　近幾年來，各種控制儀器設(shè)備的功能越來越大，有些精密儀器或設(shè)備，體積本身就小，還需要接上各種傳感器進(jìn)行感知和控制，這也對傳感器微型化提出了更高的要求。

　　MEMS技術(shù)的發(fā)展使微型傳感器提高到了一個新的水平，利用微電子機械加工技術(shù)將微米級的敏感元件、信號處理器、數(shù)據(jù)處理裝置封裝在同一芯片上，它具有體積小、價格便宜、可靠性高等特點，并且可以明顯提高系統(tǒng)測試精度。

　　因而傳感器本身體積也是越小越好，這就要求發(fā)展新的材料及加工技術(shù)，目前利用硅材料制作的傳感器體積已經(jīng)很小。如傳統(tǒng)的加速度傳感器是由重力塊和彈簧等制成的，體積較大、穩(wěn)定性差、壽命也短，而利用激光等各種微細(xì)加工技術(shù)制成的硅加速度傳感器體積非常小、互換性可靠性都較好。  

　　微型傳感器可以不受空間大小制約而安放在狹小位置上，并有對被測對象的狀態(tài)干擾小、時間應(yīng)快和成本低等優(yōu)點。過去制作傳感器一邊用眼看一邊用手加工，就是機械加工也受到機械能力的限制。以集成技術(shù)為基礎(chǔ)的微細(xì)加工技術(shù)則不然，能把電路加工到光波數(shù)量級，而且可批量生產(chǎn)，價格便宜。

　　集成電路加工由三大技術(shù)組成：平面電子工藝技術(shù)、有選擇的化學(xué)腐蝕技術(shù)和機械切割技術(shù)。這三項技術(shù)都能進(jìn)行三維加工。

　　平面電子工藝技術(shù)是把在硅表面生成的氧化膜作為一種掩膜，在具有掩膜的硅單晶上進(jìn)行具有空間選擇的擴(kuò)散和腐蝕加工。所以平面電子工藝技術(shù)包括照相制版技術(shù)、雜質(zhì)擴(kuò)散技術(shù)、離子注入技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)等。

　　利用有選擇的化學(xué)腐蝕技術(shù)能對由平面電子工藝技術(shù)制作而成的氧化物掩膜和已擴(kuò)散了雜質(zhì)的半導(dǎo)體物體空間進(jìn)行有選擇的化學(xué)腐蝕加工。利用這種技術(shù)可以在特定方向上把硅體腐蝕掉，可以進(jìn)行三維加工。這種微加工技術(shù)可以把物體加工成極微細(xì)的可動部件，如應(yīng)力桿狀物，開關(guān)甚至馬達(dá)等。

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